据《中国电子报》报道，目前国内功率半导体企业，纷纷在宽禁带半导体产品上发力。国内主要的半导体企业均在积极布局低碳产品线，不断加大低碳类项目投入，深化低碳芯片研发及产业化。

　　在节能降碳风潮的推动下，宽禁带半导体被认为是具有广阔发展前景的市场。即便当前碳化硅、氮化镓器件相较于硅器件的价格仍较高，但综合来看，应用宽禁带半导体器件将给系统带来巨大的综合收益。“双碳”浪潮下，半导体产业链各方同时用力，但谁能在这一风潮中获利，将取决于企业的生态打造能力。

　　吉林华微电子宽禁带产品生产研发势头亮眼。随着低碳化产品成为持续拉动功率半导体市场增长的动力点，全球各大供应商分别推出了相关产品和解决方案。吉林华微电子抓住新的增长机遇，积极迈进“低碳”路线，努力为其发展铺就一条硬科技绿色通道。

　　众所周知，宽禁带半导体具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点，特别是基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的材料具有更高的电子迁移率，使得器件具有低的导通电阻、高的工作频率，能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。

　　在GaN(氮化镓)器件方面，吉林华微电子已开发出650V功率器件，用于消费类电源领域。对于SiC(碳化硅)器件，吉林华微电子已经完成650V～1200VSiC二极管的开发，产品处于量产阶段;同时正在加快SiCMOSFET(碳化硅功率元器件)的推广，向汽车充电桩、汽车OBC(车载充电器)和光伏储能领域进行推广。公司未来将大力发展宽禁带半导体，充分迎接低碳赛道的各项挑战。